Čo má plochu 0,0262 mikrónu štvorcového?
Samsung pracuje na využití tzv. EUV litografii, zdroji svetla s vlnovou dĺžkou 13,5 nm. 7nm proces Samsungu má 27nm rozostuo rebier (fin) a 54nm rozostup brán (gate), čo znamená najmenší dosiaľ známy FinFET tranzistor. Samsung zároveň dosahuje i SRAM s najvyššou známou hustotou; jedna bunka meria 0,0262 štvorcového mikrónu.
Odkaz: diit.cz 7 nm technológia
Pre pridávanie komentárov sa musíte prihlásiť.